NXH600B100H4Q2F2PG

NXH600B100H4Q2F2PG

Part Number: NXH600B100H4Q2F2PG
Product Classification: وحدات IGBT
Manufacturer: onsemi
Description: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR
Packaging: Tray
ROHS Status: Yes
Currency: USD
PDF: Documents

Specification

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • المدخلات Standard
  • تكوين Three Phase Inverter
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 10 µA
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 192 A
  • الطاقة - الحد الأقصى 511 W
  • المورد الجهاز الحزمة 44-PIM (93x47)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1 kV
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 13256 pF @ 20 V