FF200R12W2T7EB11BPSA1
Numéro de pièce :
FF200R12W2T7EB11BPSA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
FF200R12W2T7EB11BPSA1
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 165 A
- Puissance - Max 20 mW
- Configuration Half Bridge Inverter
- Courant de collecteur de coupure (Max) 15 µA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 43400 pF @ 25 V