GT30J121(Q)
Numéro de pièce :
GT30J121(Q)
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
Description :
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 60 A
- Puissance - Max 170 W
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
- Énergie de Commutation 1mJ (on), 800µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 90ns/300ns
- Condition de test 300V, 30A, 24Ohm, 15V