GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)

Numéro de pièce : GT50JR21(STA1,E,S)
Catégorie de produit : IGBTs simples
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
Description : IGBT 600V 50A TO-3P
Emballage : Tube
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Type de montage Through Hole
  • Statut de la pièce Active
  • Type d'IGBT -
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
  • 输入类型 Standard
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
  • Condition de test -
  • Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
  • Énergie de Commutation -
  • Td (on/off) @ 25°C -
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 100 A
  • Température de fonctionnement 175°C (TJ)
  • Puissance - Max 230 W
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A