GT50N322A
Numéro de pièce :
GT50N322A
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
Description :
IGBT 1000V 50A TO-3P
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
- Condition de test -
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Énergie de Commutation -
- Td (on/off) @ 25°C -
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 120 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
- Puissance - Max 156 W
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Temps de récupération inverse (trr) 800 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A