NXH800H120L7QDSG
Numéro de pièce :
NXH800H120L7QDSG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
1200V 800A QDUAL3
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant de collecteur de coupure (Max) 100 µA
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 800A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 94300 pF @ 25 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 11-PIM (152x62.15)