WG50N65DHJQ
Numéro de pièce :
WG50N65DHJQ
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
WeEn Semiconductors
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Boîtier TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 200 A
- Charge de grille 160 nC
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-3
- Temps de récupération inverse (trr) 105 ns
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- Puissance - Max 278 W
- Condition de test 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 91 A
- Énergie de Commutation 1.7mJ (on), 600µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 66ns/163ns