FF200R12W2T7EB11BPSA1
部品番号：
FF200R12W2T7EB11BPSA1
製品分類：
IGBTモジュール
製造業者：
Infineon Technologies
説明：
FF200R12W2T7EB11BPSA1
パッケージ：
Tray
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ -
- パッケージ / ケース Module
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- 输入 Standard
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTCサーミスタ Yes
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 165 A
- パワー - 最大 20 mW
- コンフィギュレーション Half Bridge Inverter
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 15 µA
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 1.8V @ 15V, 200A
- 入力容量（Cies）@ Vce 43400 pF @ 25 V