GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D

部品番号: GT40QR21(STA1,E,D
製品分類: 単一IGBT
製造業者: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: IGBT 1200V 40A TO-3P
パッケージ: Tube
ROHS状態: はい
通貨: USD
PDF: 資料

仕様

  • 実装タイプ Through Hole
  • 部品ステータス Active
  • IGBTタイプ -
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
  • パッケージ / ケース TO-3P-3, SC-65-3
  • Td (オン/オフ) @ 25°C -
  • 動作温度 175°C (TJ)
  • パワー - 最大 230 W
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 80 A
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 40A
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P(N)
  • 逆回復時間(trr) 600 ns
  • 試験条件 280V, 40A, 10Ohm, 20V
  • スイッチングエネルギー -, 290µJ (off)