GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)

部品番号: GT50JR22(STA1,E,S)
製品分類: 単一IGBT
製造業者: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: IGBT 600V 50A TO-3P
パッケージ: Tube
ROHS状態: はい
通貨: USD
PDF: 資料

仕様

  • 実装タイプ Through Hole
  • 部品ステータス Active
  • IGBTタイプ -
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 600 V
  • 输入类型 Standard
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 50 A
  • 試験条件 -
  • パッケージ / ケース TO-3P-3, SC-65-3
  • スイッチングエネルギー -
  • Td (オン/オフ) @ 25°C -
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 100 A
  • 動作温度 175°C (TJ)
  • パワー - 最大 230 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P(N)
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.2V @ 15V, 50A