GT60N321(Q)
部品番号：
GT60N321(Q)
製品分類：
単一IGBT
製造業者：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 1000V 60A TO-3P
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Obsolete
- 実装タイプ Through Hole
- 動作温度 150°C (TJ)
- IGBTタイプ -
- 输入类型 Standard
- 試験条件 -
- 逆回復時間（trr） 2.5 µs
- スイッチングエネルギー -
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 60 A
- 電流 - コレクタパルス (Icm) 120 A
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1000 V
- パワー - 最大 170 W
- パッケージ / ケース TO-3PL
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.8V @ 15V, 60A
- Td (オン/オフ) @ 25°C 330ns/700ns
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P(LH)