仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- IGBTタイプ -
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- コンフィギュレーション Half Bridge
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 1 mA
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ Yes
- サプライヤーデバイスパッケージ E3
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 225 A
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 225A
- パワー - 最大 1.54 kW
- 入力容量（Cies）@ Vce 15600 pF @ 25 V