GT60N321(Q)

부품 번호: GT60N321(Q)
제품 분류: 단일 IGBT
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
설명: IGBT 1000V 60A TO-3P
패키징: Tube
ROHS 상태: 예스
통화: USD

규격

  • 부품 상태 Obsolete
  • 장착 유형 Through Hole
  • 작동 온도 150°C (TJ)
  • IGBT 유형 -
  • 输入类型为韩文 Standard
  • 테스트 조건 -
  • 역복구 시간 (trr) 2.5 µs
  • 스위칭 에너지 -
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 60 A
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) 120 A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) 1000 V
  • 파워 - 최대 170 W
  • 패키지 / 케이스 TO-3PL
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
  • Td (on/off) @ 25°C 330ns/700ns
  • 공급업체 장치 패키지 TO-3P(LH)